WeiterempfehlenMail Facebook Twitter Google Plus

Epitaxie von Wafern: Grundlage für zahlreiche Bauelemente

Verlassen Sie sich auf unsere Erfahrung und unsere strenge Qualitätskontrolle beim epitaktischen Wachsen von MOCVD Schichtstrukturen.

Epitaxie von Wafern und epitaktische Schichtstrukturen
Die Epitaxie von Wafern bildet die Grundlage für die Fertigung verschiedener Bauelemente. Entsprechend Ihrem Design stellen wir dabei Halbleiter-Schichtstrukturen auf 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll Wafern her. Für die Fertigung der Wafer nutzen wir zwei verschiedene Reaktoren mit 8 oder 12 Wafern pro Run ein.

Die so mittels epitaktischem Wachstum beschichteten Wafer setzen Sie für Halbleiterbauelemente in zahlreichen Geräten und Systemen ein: in Hochleistungsdiodenlasern im Wellenlängenbereich von derzeit 760 bis 1060 Nanometer als Oberflächenemitter (VCSELs und VECSELs), als Leuchtdioden (RCLEDs und LEDs) oder auch als Detektoren.

Unser MOCVD / MOVPE Wachstumsprozess ist äußerst zuverlässig und wir überwachen ihn streng. So sichern wir Ihnen konstant die höchste Qualität bei der Epitaxie von Wafern. Dieses Verfahren ist zertifiziert nach dem internationalen Standard ISO 9001:2008.

Unsere Ingenieure und Techniker haben diesen Prozess jahrelang kontinuierlich weiterentwickelt. Die Epitaxie von Wafern zählt daher zu den Fachkompetenzen von Jenoptik.

Vorteile

  • Höchste Qualität: Wir überwachen das Wachstum der Schichtstrukturen mit größter Sorgfalt und modernster Messtechnik.
  • Rückverfolgbarkeit: Ablage der Fertigungsdokumentation in einem modernen Datenbanksystem.
  • Flexibel und kompetent: Dank kurzer Entwicklungszyklen realisieren wir Ihre Anfragen schnell und zuverlässig.
  • Günstig: niedrige Entwicklungskosten bei der Epitaxie von kundenspezifischen Anfragen zu Wafern.

Anwendungen

  • Optoelektronik: Epitaxiestrukturen für Kantenemitter, Diodenlaser, Oberflächenemitter, Leuchtdioden, VCSEL und Detektorstrukturen.

Produktansichten

Technische Fakten

  • 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll Wafer
  • Schichtstrukturen im Materialsystem Al-In-Ga-As-P
  • ISO 9001:2008 zertifiziert

Downloads

Informieren Sie sich hier!

Ansprechpartner Festkörperlaser und Diodenlaser

Vertrieb Laser

+49 3641 65-3053

+49 3641 65-4011

Persönliche Angaben

Die mit * gekennzeichneten Felder sind Pflichtfelder.

Ihr Anliegen